美中晶片戰持續升溫，沒 EUV 機台，中國不也挺進 7nm？ 什麼是微影製程？

反射鏡片是德國蔡司公司做的，每個反射鏡底材是用雷射加Plasma精密加工，然後再鍍上至少50層每層5~6nm厚度矽鉬材料，表面平整度比韋伯望遠鏡的反射鏡片還要高，並且最後倒數第二片反射鏡(Hi-NA EUV增大NA用途關鍵)是帶有弧度的，弧形精密度到達奈米級弧度精密程度，角度還要經過精密計算，否則極紫外光會被吸收減弱，並且面積超大，就是給你30年，你也做不出來。 第二個難關是極紫外光產生器，這是要用功率極高且壽命超長的雷射產生器，以每秒50000次用雷射射擊錫滴，每個錫滴射擊兩次來產生極紫外光。 你是要怎麼控制高溫熔融錫滴的產生與滴漏? 每兩個錫滴間的時間間隔控制? 每個錫滴的大小的控制? 雷射光源的穩定性控制? 可以每天24小時工作? 如何散熱? 一大堆專利你能破解? ASML為了找到最適當的極紫外光源，前後花了 共計超過10多年，連同步輻射高能加速器都研究過，你在這世上已經絕對找不到其他的任何方法了，不幸的是ASML已經把所有相關的專利申請完了外， 就是給你抄，你也抄不出來。光用嘴巴說些打雞血的話，沒個毛用。 第三個難關是空白光罩，這也是日本寡佔的領域，製作原理跟反射鏡類似，但是難在要經過仔細計算避免3D效應，這又一個獨門技術，世上也沒超過三家能做。 第四個難關是光阻劑，這個之難難如登天，也是日本寡佔的領域。 每個先進製程節點所使用的光阻劑配方都不同，並且在研發階段就要用EUV機台作驗證，試問那個客戶願意把上億美金的EUV機台挪出來給你試? 並且一試就要至少半年到一年，光試你的光阻劑廠家就要賠上多少錢與時間? 看看韓國自己要作EUV光阻劑的結果，就知道為甚麼三星的良率如此差。 第五個難關是雙工作平台，在高速40G加速度的輪動下，整體的位移偏差加上機台的誤差，其覆蓋誤差(overlay Error)不到2nm，看看上微作的機台Overlay誤差是多少? 近90nm誤差。 大家一直以為ASML只是做曝光機的廠商，這是大錯特錯。ASML所提供給客戶的是所有曝光相關的問題一站解決者，他除了曝光機外，還有光學與電子束檢驗機，外加Brian大數據分析AI系統，OPC光罩修正驗證軟體系統，能夠將所有曝光相關的Defect，包括光阻劑塗布厚度，軟/硬烤，蝕刻前後檢驗與光罩圖形OPC修正都整合在一起，提供工程師修正所有EUV曝光問題，光憑這一點，給你30年，你也是做不出來。 ASML所有產品，包括EUV，DUV，DUVi，光學檢驗機，電子束檢驗機，OPC光罩修正及檢驗軟體，大數據統計分析AI系統，整體才算是一個完整的體系，而曝光機僅是其中一部分而已。 沒這個體系建立起來，你就是有幾台EUV曝光機在手，一樣也會是一堆廢物，懂嗎? 這是超過30多個國家近600家最厲害的供應商，齊心合作打造出來的體系，世上再也找不出來第二家。 有緣的人如果能去Connecticut Wilton看過ASML在美國的組裝廠，你就知道所言無虛。 PS. 回頭再加一段 台積電是不可能自己發展EDA的，台積電本身只會提供EDA廠加他的PDK，Design Reference Manual，Design Rules，SPICE得出的資料等，供給IC設計者在用EDA設計中的模擬，驗證。 EDA沒這些半導體廠商提供的這些資料，他只能設計個渣出來，比廚餘垃圾還不如。 台積電最適合做與EDA相關的工作，就是開發各製程的IP模組，並且先上過自己的產線做過驗證，再以有償或無償方式提供給客戶設計晶片時採用，以節省客戶設計時間並保證有高良率產出，這就無形中增加了台積電在同業間的競爭力，例如有關ARM架構相關的硬核IP，台積電擁有的數量就是世界前幾名，這也是三星與Intel遠遠敢不上台積電一個隱形原因。 要知道光一個5nm製程稍微複雜的IP，其價格就要超過500多萬美金，做一個精密5nm晶片從設計初始到留片前，沒花你個5，6億美金簡直就是笑話，所以三星那個幫盤矽作的3nm晶片，基本上就是一個笑話，當現在有那個廠商把它當回事在看? 有嗎? 發展EDA工具你沒有超過30多年以上的投入，你想發展一個全面性應用的EDA，那就是在說夢話與傻話。一個完整的EDA工作不是單僅有Functional，Timing，Power，Thermal，Reliability，EM模擬驗證就夠了，要作到SoC還要加入Mechanical，Moldflow等等，試問誰有這麼多方面的人才與實驗數據? 這頭部三間大的ESDA也是沒有，全靠這20多年來的併購其他專業公司來完成的，美加源工人射都在萬人以上，每年研發費用就佔了40%營收以上，專利完全被它們給霸佔了，後來者多半只有吃土的份，除非你在這裏面某一小段技術中有你獨強的能力。在製作光罩圖案GDSII時，你也要用到OPC修正與驗證工具。另外就是要與半導體廠合作，在半導體各個製程相關的規格與設計規範，與之驗證，Debug，Update，這一來一往的時間與投資也是非常可怕的，沒經年累月彼此的合作，那個客戶敢用你的EDA工具? 一個先進製程精騙我前面說過要花費多少鈔票，你只會做一個晶片嗎? 當然不會只做一個晶片，所以你敢用一些沒經過驗證的EDA工具嗎? EDA工具是有生命的，他會隨遮時間，半導體製程的前進，技術的改進，一直升級中，不會有中斷情況，所以EDA廠家的投資也是會一直加碼，這也是EDA廠家的經營管理的難處之一。 不要以為買了個EDA工具就萬事大吉，設計出晶片就可以指日可待，沒這些工具與半導體的切合，你是啥都做不出來。 沒這些後續升級，客戶就立刻在技術上落伍了。所以只要在半導體廠相關技術資料，IP設計商，Auto-layput，DRC，DM把你給掐住，你就立刻吃土去了。 懂行的就知道我在說什麼。

以科普的角度而言，這影片真的很棒！ 讀者不同，閱讀需求也不同，普羅大眾求入門好懂不枯燥，業內專家多習慣自詡為師捨我其誰。影片的製作不可能討好所有閱讀群體，自我定位清楚即可…. 教專領英與晦澀轉白都是專業，都是對半導體產業重要的貢獻！

專業又易懂的影片

多謝，讓我有了個初步的認識。

對行外人不是很重要，不過 4:14 G-line (436nm) 在演進到 DUV 之前還有經過一個 I-line (365nm)，而 DUV 光源也有分 KrF (248nm) 跟 ArF (193nm)

聽到曝光機就先點讚

才发现这个科普up真不错，关注订阅先

科普頻道講到這樣，厲害欸👍

我認為專精才有競爭力才能跟大家一同合作交流 台企先前的策略都是一條龍服務產品都鳥鳥的，現在都轉為專業分工合作，術業有專攻唯有掌握關鍵技術才能佔一席之地

DUV 光源 ArF (193n) 有immerison and dry 193nm, immersion 是一個很重要的里程碑

很棒，讓我們這種非領域內的人可以初步理解半導體製程！

居然沒說長波光因為繞射性關係，微影像的邊緣會暈開而無法投映細小的影象。

說真的! 半導體技術真的替台灣撐起一片天! 但製造的區位移轉也並非不會發生，我們還是應該要思考下一個製造方向，或者商業模式

我無法精準描述對此頻道的敬佩，你們搜集的資料跟文案的撰寫，都非常非常用心跟專業！將來我會把按讚的次數都留給你們！

希望可以了解比較新製程的封裝技術 ： ）

光是說「曝光機」而非「光刻機」，這部影片就值得給讚！

謝謝！

很詳細

美國的美光亦成功研發出一種名為 1beta 的半導體製程，僅以 DUV 光刻機就能臻 EUV 光刻機的效果。

其實5nm也可以做出來的,只是放大看後可以明顯看出品質的差異,最重要的還有良率不佳喔